A Samsung apresentou a sexta geração da memória V-NAND, que permitirá criar SSDs mais rápidos e de maior capacidade de armazenamento com uma densidade de dados simplesmente impressionante. Talvez você não deva achar isso tão impressionante assim, levando em consideração que os coreanos já acostumou a todos a oferecer grandes avanços nesse segmento ano após ano.
Mesmo assim, não podemos ficar indiferentes diante da apresentação dessa nova geração. O V-NAND vem de Vertical, ou seja, as células de memória não estão dispostas na horizontal sobre o chip, mas sim na vertical. Por isso, também é indicado como 3D-NAND, em três dimensões.
Esta foi a grande inovação que permitiu criar SSDs com maior capacidade e desempenho. Nesse mesmo espaço agora é possível ter mais armazenamento, e isso permite lançar SSDs cada vez maiores e mais rápidos, por não ter as limitações de espaço do passado.
Um salto tecnológico que você vai gostar
A nova geração permite criar chips NAND de mais de 100 capas, onde a Samsung afirma ser capaz de oferecer produtos com mais de 300 capas, apenas montando três pilhas de células, uma em cima da outra, e sem comprometer o desempenho.
Mas a maioria dos produtos que usaremos serão de mais de 100 capas, onde a nova V-NAND permite ampliar uma quantidade de células 40% maior que as anteriores, alcançando 136 capas em um chip de 256 gigabits.
Esses chips oferecem um grande desempenho, com latência de apenas 450 microssegundos para gravação, e menos de 45 microssegundos para leitura, entregando uma melhora de 10% em relação à geração anterior, com um consumo 15% menor. Além disso, os primeiros SSD V-NAND de 512 GB devem chegar ao mercado ainda no segundo semestre de 2019.
A Samsung já iniciou a produção em massa dos primeiros SSDs de 250 GB que usarão esses chips, mas por enquanto não temos preço ou datas de lançamento. Mas não devem demorar muito para chegar ao mercado.
Via Samsung